摘要：本文详细论述了在他局已授权的时候，并未盲从他局审查意见，独立检索，其中基于对所解决技术问题的深入分析，在检索过程中通过在非专利库利用相关期刊文献和教科书，不断深入理解发明原理，不断接近站位本领域技术人员，从申请人在做出发明创造时的原理着手，持续扩展关键词，检索到公开申请人发明构思的两篇对比文件。
关键词：电感器 偏磁 屏蔽
引言
现有技术中的电流互感器多为环形磁芯，初级导体从磁芯通孔穿过，次级绕组缠绕在环形磁芯上。这样的结构易受到外部磁场或者初级导体的未对准、偏差或缺陷的影响，从而会引起磁芯的局部过饱和，导致电流互感器的不精确。
一、案情介绍
本案采用成对形成的屏蔽线圈缠绕在环形磁芯上，每个对的屏蔽线圈彼此并联连接，形成的对后再串联，如图1所示： 21和22构成一对屏蔽线圈，23和24构成一对屏蔽线圈，它们彼此并联后再串联。4为辅助线圈，用于根据实际变比，灵活设置匝数。
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本案包括两个并列的技术方案：
方案1：将四个屏蔽线圈21到24分别占据环形磁芯5的整个圆周的四分之一，如图2所示：
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方案2：将第一对屏蔽线圈21和22各占据环形磁芯5的一半，即21和22构成一整圈，第二对屏蔽线圈23和24旋转90°后，各占据环形磁芯5的一半，23和24也构成一整圈，如图3所示：
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二、权利要求
本申请的权利要求1（驳回针对的权利要求1）：
（方案1）1. 一种电流互感器(1)，包括环形磁芯(5)，其特征在于进一步包括：
偶数数目的屏蔽线圈(21，22，23，24)，其缠绕在所述环形磁芯(5)周围，
其中，所述屏蔽线圈(21，22，23，24)成对地布置以形成相应的对(31，32)，并且每个对的两个屏蔽线圈缠绕在所述环形磁芯(5)的相对的部位上，每个对(31，32)中的屏蔽线圈(21-22，23-24)并联连接以在每个线圈中建立各自的磁通量，
其中，每个对(31，32)的第一屏蔽线圈(21，23)中的磁通量相对于每个对(31，32)的第二屏蔽线圈(22，24)中的磁通量具有相反的方向，并且
其中，所述对串联连接，
其中，所述电流互感器(1)进一步包括：
辅助绕组(4)，其缠绕在所述环形磁芯(5)周围，并且与所述屏蔽线圈(21，22，23，24)串联连接，并且
其中，所述电流互感器(1)的次级绕组包括所述屏蔽线圈(21，22，23，24)和所述辅助绕组(4)。
3. 根据权利要求1或2所述的电流互感器(1)，其中，每个对(31，32)布置在所述环形磁芯(5)的圆周周围，并且其中，第一对屏蔽线圈(21，22，23，24)以角度偏移的方式缠绕在第二对屏蔽线圈(21，22，23，24)上。
4. 根据权利要求3所述的电流互感器(1)，其中，所述第一对屏蔽线圈以90°的角度偏移的方式缠绕在所述第二对屏蔽线圈上。（权利要求3和4为方案2）
三、检索过程
本申请美局一通、二通给的对比文件均不可用，且美局已授权，欧局未审，审查员充分理解本申请，其发明点在于：通过屏蔽线圈的设置，使得磁通相互抵消，从而防止磁芯局部饱和。
亮点检索（检索到对比文件采用的手段及检索过程）
以下为本申请检索过程：
（1）CNTXT检索：
7 CNTXT 113872 H01F/IC
8 CNTXT 7534 局部 s 饱和
9 CNTXT 23448 屏蔽 s (线圈 or 绕组)
10 CNTXT 64 7 AND 8 AND 9
15 CNTXT 109399 互感器
16 CNTXT 30 8 and 9 and 15
19 CNTXT 1132963 饱和
20 CNTXT 918 9 and 19 and 7
21 CNTXT 287 20 and 15
由于对磁芯局部饱和的特性不太理解，故在CNKI中继续检索磁芯的局部饱和，检索到文章《共模扼流圈磁芯磁场特性分析及其动态电感模型》，其中提到“功率电流会造成磁芯的局部偏磁”，采用“局部s 偏磁”继续在中文库中检索。
24 CNTXT 156 局部 s 偏磁
25 CNTXT 48 7 and 24——D1，CN201877277
其中对比文件1公开了“将四个屏蔽线圈21到24分别占据环形磁芯5的整个圆周的四分之一”的方案1。继续检索方案2。
29 CNTXT 834302 偏移
30 CNTXT 99 9 s 29
35 CNTXT 1926 9 and 29
36 CNTXT 241 7 and 35
38 CNTXT 5509120 旋转 or 偏差
39 CNTXT 806 9 s 38
40 CNTXT 75 7 and 39
考虑到采用屏蔽线圈解决磁芯饱和的问题，是本领域解决饱和问题时的常见手段，但本领域的屏蔽线圈缠绕方式并不常规，继续在CNKI和超星中检索相关的非专利或书籍，从屏蔽线圈的屏蔽原理入手，深入挖掘相关检索词汇。其中，在超星中检索屏蔽线圈，在书籍《飞机电器》，刘铭光，第122-123页，第四节，几种电磁干扰的抑制办法，提到电磁干扰会引起磁芯饱和，而采用屏蔽线圈抑制电磁干扰从而防止磁芯饱和，是常见的抑制方式。故采用“电磁干扰”来继续检索。
42 CNTXT 213476 (电磁 or 磁场) s 干扰
43 CNTXT 1246 9 and 42 and 7
44 CNTXT 1136743 饱和 or 偏磁
45 CNTXT 287 43 and 44——D2，CN 2073615U
对比文件2即公开了“将第一对屏蔽线圈21和22各占据环形磁芯5的一半，即21和22构成一整圈，第二对屏蔽线圈23和24旋转90°后，各占据环形磁芯5的一半”的方案2。
四、小结
本案。基于对所解决技术问题的深入分析，在检索过程中通过在非专利库利用相关期刊文献和教科书，不断深入理解发明原理，不断接近站位本领域技术人员，从申请人在做出发明创造时的原理着手，持续扩展关键词，检索到公开申请人发明构思的两篇对比文件。本案表面，检索时要深入理解发明想要解决的技术问题，在检索过程中借助相关工具书或期刊文献，拓展思路，客观准确地把握检索方向，选择更利于检索的关键词，以避免漏检。